エレクトロニクス・表面技術フォーラム 1月27日(金) | 神奈川県産業技術センター
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更新日:2016.12.27

エレクトロニクス・表面技術フォーラム 1月27日(金)

~多品種少量デバイスの生産革命 ミニマルファブ~

 時下、ますます御清栄のこととお喜び申し上げます。また、日頃から当センターの事業に御協力いただき感謝申しあげます。

 当センターでは産学公の研究者、技術者等の交流と技術移転等を積極的に推進するため、技術交流フォーラムを開催しております。

 今回は、「エレクトロニクス・表面技術フォーラム ~多品種少量デバイスの生産革命 ミニマルファブ~」と題した技術フォーラムを(一社)表面技術協会関東支部との合同講演会として開催する運びになりました。

 ミニマルファブとは、1/2インチ(約1.3 cm)サイズの小口径ウェハを製造基板単位とする半導体生産システムです。これまでに「国立研究開発法人 産業技術総合研究所コンソーシアム・ファブシステム研究会」を中心に産学公連携により研究開発を進めており、既に平成26年度には簡易デバイス(MEMS、ダイオード、MOS、CMOSなど)が試作出来るレベルの成果が出ています。

 本フォーラムでは、(国研)産業技術総合研究所ファブシステム研究会の原 史朗 代表を始め、研究開発に携わっている研究員の方々から開発状況の御紹介を頂きます。さらに、ミニマルファブを用いて実際のデバイス開発等を行っている企業の方々から、活用事例等の御紹介を頂きます。

 皆様の積極的な御参加をお待ちしております。 

開催要領

■日時 平成29年1月27日(金) 13:00~17:10
■主催 神奈川県産業技術センター、(一社)表面技術協会関東支部
■会場 神奈川県産業技術センター(海老名市下今泉705-1)
管理・情報棟 2階 カンファレンスルーム
■定員 60名
■参加費 無料
■申込方法 こちらのページから、お申込みください。
■申込締切 1月20日(金)
(定員に達していない場合は、当日参加も可能です。お気軽にお問い合わせください。)
■問い合わせ先 電子技術部電子材料チーム 小沢 武、安井 学
電話046-236-1500(内3315)

  

開催内容

(敬称略)

1 挨拶

 13:00~13:10 

  (一社)表面技術協会 関東支部 (代表者) 

  神奈川県産業技術センター             電子技術部長 篠原 俊朗   

 

2 ミニマルファブの概要

 13:10~14:10(60分)

 「多品種少量デバイスの生産革命 ミニマルファブ」

  (国研)産業技術総合研究所      ファブシステム研究会代表 原  史朗 

 

3 ミニマルファブの開発状況

 14:10~14:40(30分)

 「3日でできるCMOS試作」 

  (国研)産業技術総合研究所   ミニマルシステムG 主任研究員 クンプアン ソマワン

 14:40~15:00(20分)

 「既存装置とミニマル装置のハイブリッド方式によるSOI-MOSFET試作と評価」

  (国研)産業技術総合研究所 カスタムデバイスG 上級主任研究員 柳  永勛

 15:00~15:15(15分)休憩

 15:15~15:35(20分)

 「ミニマルだから初めてできた高品位垂直エッチング技術」 

  (国研)産業技術総合研究所         ミニマルシステムG 田中 宏幸

 15:35~15:55(20分)

 「前工程と統一されたミニマルパッケージング技術開発」 

  (国研)産業技術総合研究所         ミニマルシステムG 居村 史人

 

4 ミニマルファブの活用事例

 15:55~16:15(20分)

 「世界初1個からの再配線ファウンドリサービス」 

  (株)ピーエムティー    ミニマルファウンドリ担当 執行役員 三宅 賢治

 16:15~16:35(20分)

 「ミニマルファブ トータル・ソリューション事業」

  横河ソリューションサービス(株)         ミニマル部長 永井  亨 

 16:35~16:55(20分)

 「ネイタスの進めるミニマルファウンドリ事業(仮題)」

  (株)ネイタス                 代表取締役社長 吉田 政孝

 

5 全体討論 16:55~17:10(15分)




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